PVT法生長(zhǎng)4H-SiC單晶工藝的初步探索.pdf

1、4H-SiC因其載流子遷移率在各種α-SiC同質(zhì)異晶型中最高而成為開發(fā)SiC電力電子器件的主要材料。然而，由于其生長(zhǎng)條件比較苛刻，采用PVT法生長(zhǎng)的4H-SiC晶體中通常含有異晶型、堆垛層錯(cuò)等缺陷，這嚴(yán)重影響了晶體的實(shí)際應(yīng)用。
　　 在本課題組已開發(fā)成功的6H-SiC晶體生長(zhǎng)工藝基礎(chǔ)上，分別采用6H-SiC和4H-SiC晶片作為籽晶，成功開發(fā)了制備4H-SiC單晶體的基本工藝；同時(shí)利用拉曼光譜(Micro-Ramanspectr

2、oscopy)、透射電子顯微鏡(Transmissionelectronmicroscope)、光學(xué)顯微鏡等測(cè)試手段對(duì)4H-SiC生長(zhǎng)樣品進(jìn)行了分析，探討了晶體中各種缺陷的產(chǎn)生原因及其抑制方法。
　　 論文獲得的主要結(jié)論如下：
　　 1.以6H-SiC籽晶的C面為生長(zhǎng)面，并在生長(zhǎng)過程中摻入適量的高純氮?dú)饪梢赞D(zhuǎn)型生長(zhǎng)4H-SiC晶體；不過所獲得的晶體中往往含有異晶型夾雜、堆垛層錯(cuò)、微管蔟等缺陷，這主要?dú)w因于籽晶品質(zhì)、生長(zhǎng)壓