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文檔簡介
1、碳化硅是近年來迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,與傳統(tǒng)的Si 和GaAs半導(dǎo)體材料相比,SiC 具有大禁帶寬度、高臨界擊穿電場強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和速率等優(yōu)越的特性,隨著SiC 材料制造工藝的不斷進(jìn)步和發(fā)展,在高溫、大功率、高頻、光電子、抗輻照等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,在微波功率器件中,4H-SiC MESFET 由于其高工作頻率和大的功率密度,而引起了廣泛的重視。對于功率放大器設(shè)計(jì)而言,為了獲得最大功率輸出,需要確定最佳負(fù)載阻抗
2、,本文利用小信號法,綜合考慮了寄生效應(yīng),給出了4H-SiC MESFET 的最佳源、負(fù)載阻抗的解析表達(dá)式,該表達(dá)式對A 類、B 類放大器都適用,并進(jìn)一步并分析了極間電容和寄生電感對源、負(fù)載阻抗的影響,得到了一般性的結(jié)論,適用于器件、放大器的設(shè)計(jì)以及最佳源、負(fù)載阻抗的估算。 本文分析了4H-SiC MESFET 的小信號模型及其微波特性,并在此基礎(chǔ)上提出了針對4H-SiC MESFET 放大器設(shè)計(jì)的兩種匹配方法,一種是在其輸出阻抗
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