4H-SiC MESFET匹配電路的研究.pdf

1、碳化硅是近年來迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，與傳統(tǒng)的Si 和GaAs半導(dǎo)體材料相比，SiC 具有大禁帶寬度、高臨界擊穿電場強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和速率等優(yōu)越的特性，隨著SiC 材料制造工藝的不斷進(jìn)步和發(fā)展，在高溫、大功率、高頻、光電子、抗輻照等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，在微波功率器件中，4H-SiC MESFET 由于其高工作頻率和大的功率密度，而引起了廣泛的重視。對于功率放大器設(shè)計(jì)而言，為了獲得最大功率輸出，需要確定最佳負(fù)載阻抗

2、，本文利用小信號法，綜合考慮了寄生效應(yīng)，給出了4H-SiC MESFET 的最佳源、負(fù)載阻抗的解析表達(dá)式，該表達(dá)式對A 類、B 類放大器都適用，并進(jìn)一步并分析了極間電容和寄生電感對源、負(fù)載阻抗的影響，得到了一般性的結(jié)論，適用于器件、放大器的設(shè)計(jì)以及最佳源、負(fù)載阻抗的估算。 本文分析了4H-SiC MESFET 的小信號模型及其微波特性，并在此基礎(chǔ)上提出了針對4H-SiC MESFET 放大器設(shè)計(jì)的兩種匹配方法，一種是在其輸出阻抗