4H-SiC埋溝MOSFET的特性模擬研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SiC MOS器件由于受SiO<,2>/SiC界面處高濃度的界面陷進的影響使得反型層的電子遷移率很低,最終導(dǎo)致器件的跨導(dǎo)較低,4H-SiC材料更為明顯.為了提高場效應(yīng)晶體管特性,本文介紹了一種新型結(jié)構(gòu)的器件,簡稱4H-SiC埋溝MOSFET,就是在SiO<,2>/SiC界面注入一層N型埋溝層.論文給出了4H-SiC BC-MOSFET的基本結(jié)構(gòu)及模型,并分析了其電流輸運機制.根據(jù)偏置條件不同,埋溝MOSFET大概有四種工作模式為:積累模

2、式、耗盡模式、夾斷模式、反型模式.一般情況下器件只用耗盡模式和夾斷模式.通過二維模擬軟件MEDICI模擬了4H-SiC BC-MOSFET的基本伏安特性,分析了柵極材料、摻雜濃度、柵氧化層厚度、溝道深度、溫度等其它因素對4H-SiC BC-MOSFET伏安特性的影響.對4H-SiC埋溝MOSFET器件進行了研制,離子注入得到的溝道深度為0.2μm.從轉(zhuǎn)移特性提取的峰值場效應(yīng)遷移率為18.1cm<'2>/(Vs).造成場效應(yīng)遷移率低的主要

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