SiC生長初期C原子沉積過程的分子動(dòng)力學(xué)模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文采用分子動(dòng)力學(xué)方法,以Tersoff勢作為Si、C原子間的相互作用勢,對Si(001)清潔表面構(gòu)型及Si生長初期C原子的沉積機(jī)制進(jìn)行了較為詳細(xì)的研究.通過對荷能C原子與Si(001)相互作用過程的分析,探討了荷能C原子作用下,碳化層的生長機(jī)理.模擬結(jié)果包括(1)Si(001)清潔表面構(gòu)型有趨于(2×1)再構(gòu)的趨勢,(2)給出了C原子在Si(001)再構(gòu)表面的沉積機(jī)制,(3)C原子相對于襯底表面不同的局部構(gòu)型發(fā)生不同的碰撞過程,(4)

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