版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、半導(dǎo)體材料主要有元素半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料兩大類。硅是典型的元素半導(dǎo)體材料,具有儲(chǔ)量豐富、性能優(yōu)良、易長成大尺寸、晶體純度高的優(yōu)點(diǎn),目前世界上90%以上的半導(dǎo)體器件和95%以上的集成電路都是在硅晶片上制作的。在軍事領(lǐng)域,絕大部分軍事專用集成電路都是硅材料制作的,它可用來制作各種微波器件、數(shù)字和模擬電路、抗輻照加固器件和電路、電力電子器件、光電器件、太陽電池、微機(jī)械電氣系統(tǒng)、傳感器等各種特種器件。
傳統(tǒng)的硅單晶生長工藝
2、主要有直拉法(CZ)和區(qū)熔法(FZ)兩種,區(qū)熔法的優(yōu)點(diǎn)是可制備電阻率超過1000Ω·cm的高阻單晶。隨著軍用大面積高靈敏度探測器對(duì)超高阻硅單晶材料的需求量日益增加以及對(duì)材料電學(xué)性能指標(biāo)要求越來越苛刻,傳統(tǒng)的氣氛環(huán)境下區(qū)熔法生長高阻硅單晶的工藝已不適應(yīng)多種軍用半導(dǎo)體探測器件的要求。為了生長出低缺陷、高純度的硅單晶,真空區(qū)熔工藝代之而起,并逐漸成為各國重點(diǎn)關(guān)注的熱門研究課題。從目前我國武器裝備以及軍用電子元器件的近期需求和長遠(yuǎn)發(fā)展來看,對(duì)真
3、空高阻區(qū)熔硅單晶材料的需求數(shù)量將會(huì)大幅度增長。
高純、高阻區(qū)熔硅單晶材料具有純度高(電阻率高、少子壽命高)、缺陷少(無位錯(cuò)、無漩渦缺陷等)、補(bǔ)償度小、氧碳含量低等特點(diǎn),是制作軍用光探測器所需的專用材料,被廣泛地應(yīng)用于各種軍用探測器件及低損耗微波器件中。這種光探測器,在國防設(shè)備中起著十分重要的作用,是尖端武器所需的器件,指標(biāo)性能要求很高,對(duì)于硅材料的性能要求很嚴(yán)格。
由于此種材料的生長工藝復(fù)雜程度高,技術(shù)難度大
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 區(qū)熔硅單晶生長技術(shù)中熔區(qū)的數(shù)值模擬與研究.pdf
- 大直徑區(qū)熔硅單晶的研究與制備.pdf
- 直拉硅單晶生長Cusp磁場的研究.pdf
- 硅單晶生長速度控制系統(tǒng)的研究.pdf
- 大直徑區(qū)熔硅單晶生長設(shè)備電磁場及溫度場的數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 高真空金屬單晶體生長爐設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的硅單晶生長過程控制研究.pdf
- 太陽能硅單晶快速生長中結(jié)晶潛熱的研究.pdf
- UHVCVD外延生長——薄硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- 多場耦合下直拉硅單晶熔體流動(dòng)與傳熱研究.pdf
- 直拉硅單晶典型生長過程的熱場數(shù)值模擬研究.pdf
- 生長φ8″直拉硅單晶φ18″熱場研究及數(shù)值模擬.pdf
- UHV-CVD外延生長硅及鍺硅單晶薄膜.pdf
- 硅單晶中氮擴(kuò)散的研究.pdf
- 直拉硅單晶生長界面生成、演變及控制方法研究.pdf
- 重?fù)诫s硅單晶中氧的研究.pdf
- 直徑300mm硅單晶生長過程的熱場模擬.pdf
- 碳化硅單晶納米絲和單晶片的溶劑熱合成制備與生長機(jī)理研究.pdf
- 直拉硅單晶的快速熱處理(RTP)研究.pdf
- 摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論