直徑300mm硅單晶生長過程的熱場模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對直徑300mm晶體生長熱場進行了數(shù)值模擬,并模擬計算了晶體生長過程中單晶爐內(nèi)的氬氣流動情況.熱場的模擬計算結(jié)果與實驗測量的結(jié)果基本一致,較好地模擬了單晶爐內(nèi)的熱場分布情況.通過對氬氣流動情況的模擬分析,更好地了解了單晶爐內(nèi)氬氣流場的分布情況,這有利于我們更好地控制單晶爐內(nèi)的氨氣流的流速和流向,以及單晶中氧含量.通過對有熱屏和無熱屏兩種狀態(tài)下的熱場分布和晶體質(zhì)量的比較,我們得出:單晶爐內(nèi)施加熱屏,可以很好地改進單晶爐內(nèi)的熱場分布,從

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