ITO薄膜的水熱法制備與性能研究.pdf

1、本研究的重點(diǎn)是以銦錫氯化物水溶液為前驅(qū)物,氨水為沉淀劑,采用水熱法在載玻片襯底上制備了 ITO薄膜。利用SEM、EDS、橢偏測(cè)厚儀、四探針電阻率儀、紫外-可見分光光度計(jì)等分析手段對(duì)所制得的 ITO薄膜的表面形貌、表面元素、膜厚和折射率等進(jìn)行了分析和表征,研究了膜厚和折射率與前驅(qū)物濃度、氨水濃度、反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間以及鍍膜次數(shù)之間的關(guān)系,并利用XRD、DTA等分析測(cè)試手段對(duì)與薄膜同系統(tǒng)生成的 ITO粉體的晶向組成等性質(zhì)進(jìn)行了研究,討論了晶

2、粒尺寸與前驅(qū)物、反應(yīng)溫度、保溫時(shí)間之間的關(guān)系。結(jié)果表明:在前驅(qū)物濃度為0.3~0.7mol/l,在溫度為140~180℃的水熱條件下保溫4~8小時(shí),所制備的薄膜厚度為196.3~201.3nm,折射率為2.45~2.51,膜均勻、致密、無可視缺陷;增加前驅(qū)物濃度、增大氨水濃度、延長保溫時(shí)間及適當(dāng)增加鍍膜次數(shù),有利于薄膜厚度的增加;與薄膜同系統(tǒng)生成的粉體為體心立方錳鐵礦型,粒徑為23~44nm,隨著前驅(qū)物濃度的增大,氨水濃度的增大,保溫溫

3、度的升高,保溫時(shí)間的延長,晶體粒徑增大。
　　目前常用的制備ITO薄膜的磁控濺射法通常是在有氧環(huán)境下進(jìn)行,本研究采用直流磁控濺射法在低溫、100％Ar的無氧氣氛中制備了光電性能優(yōu)良的銦錫氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,wt%)薄膜,詳細(xì)探討了濺射時(shí)改變氬氣壓強(qiáng)對(duì) ITO薄膜結(jié)構(gòu)以及光電性能的影響。結(jié)果表明:濺射時(shí)氬氣壓強(qiáng)越小,ITO薄膜的體心立方晶型越完整,導(dǎo)電性越好,但對(duì)可見光透過性的影響不大。當(dāng)氬氣壓強(qiáng)為0.