磁控濺射法制備ITO薄膜的結(jié)構(gòu)及光電性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜因具有透明和導(dǎo)電兩大特性，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、平面顯示器、透明電磁屏蔽、節(jié)能視窗等領(lǐng)域。目前有多種工藝可用來(lái)制備透明導(dǎo)電薄膜，例如：磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、噴霧熱分解法、真空蒸發(fā)法以及近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的可大面積成膜的溶膠-凝膠（Sol-Gel）法等制膜工藝。當(dāng)前，顯示技術(shù)越來(lái)越趨向于柔性化、超薄化，這大大促進(jìn)了人們對(duì)柔性TCO薄膜的研究，其中在低軟化點(diǎn)的柔性襯底上低溫制備優(yōu)質(zhì)的ITO薄膜，已經(jīng)成為國(guó)際上的

2、熱門(mén)研究課題。 本文采用直流磁控濺射鍍膜工藝在普通的載玻片（7.6cm×2.5cm×0.1cm）上制備了ITO透明導(dǎo)電薄膜，并對(duì)ITO薄膜的制備工藝及特性進(jìn)行研究。濺射鍍膜用靶材為純度99.99％的ITO材料，其中In2O3：SnO2的質(zhì)量比為90％：10％，采用直流磁控濺射法淀積在載玻片上的薄膜厚度約為200nm。對(duì)制備出的薄膜在大氣環(huán)境下進(jìn)行了等時(shí)（1.5h）變溫（100℃，200℃，300℃，400℃）熱處理。利用XRD，

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