槽型SOi-LDMOS器件開(kāi)關(guān)特性的研究.pdf

1、隨著便攜設(shè)備的興起、全球能源需求量的不斷增長(zhǎng)，如何提高資源的有效利用率將變得越來(lái)越重要。由于SOI-LDMOS功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等優(yōu)點(diǎn)使得SOI-LDMOS器件越來(lái)越廣泛的用于功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電路。而如何降低影響SOI-LDMOS器件開(kāi)關(guān)時(shí)間的柵漏電荷QGD將是本文的研究重點(diǎn)。
　　本文首先研究了常規(guī)槽型SOI-LDMOS器件和延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件的正向?qū)娮枧c反向擊穿電壓。利用仿真軟件Medici對(duì)柵

2、漏電荷QGD、導(dǎo)通電阻Ron、擊穿電壓BV與器件結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行仿真。通過(guò)仿真得出延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件相較于常規(guī)槽型SOI-LDMOS器件擊穿電壓BV提高了52.18％;導(dǎo)通電阻Ron降低了8.8％;柵漏電荷QGD提高了41.7％，進(jìn)而對(duì)后文柵漏電荷QGD的優(yōu)化起理論指導(dǎo)作用。
　　最后提出了單場(chǎng)板延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件和雙場(chǎng)板延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件，其主要優(yōu)點(diǎn)如下所示:1）單場(chǎng)板延長(zhǎng)漏槽型S

3、OI-LDMOS器件較常規(guī)槽型SOI-LDMOS器件、延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件的柵漏電荷QGD和優(yōu)值FOM(Fingure-of-Merit)分別降低了7.1％、45.9％和56.8％、42.2％;2）雙場(chǎng)板延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件較常規(guī)槽型SOI-LDMOS器件、延長(zhǎng)漏槽型SOI-LDMOS器件的柵漏電荷QGD和優(yōu)值FOM分別降低了77.2％、86.72％和85.7％、80.9％。
　　綜上所述，本文提出了兩種降