SOI-LDMOS器件的自熱效應研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩57頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、高壓功率器件工作在高電壓、大電流條件下，因此高壓功率器件存在較嚴重的散熱問題。對于SOI-LDMOS器件，其低熱導率埋氧層（比硅小兩個數(shù)量級）直接阻擋了熱量向襯底的傳導，頂層硅膜有源區(qū)內產(chǎn)生的熱量不能及時有效地傳遞出去，導致SOI-LDMOS器件比體硅表現(xiàn)出更加嚴重的自熱效應，給器件和電路的可靠性帶來嚴重影響，因此自熱效應已成為影響SOI-LDMOS器件可靠性的一個重要因素，迫切需要對其展開深入研究。
　　 本文首先簡述了功率S

2、OI-LDMOS器件的發(fā)展及存在的自熱問題，然后對SOI-LDMOS器件的閾值電壓、泄漏電流、導通電阻、擊穿電壓及飽和電流等電學特性的溫度效應進行了深入分析，在此基礎上，對SOI-LDMOS器件工作在飽和區(qū)時的熱分布進行建模，建立了SOI-LDMOS器件二維溫度分布解析模型，基于該模型可以分析器件漂移區(qū)的非均勻熱產(chǎn)生對溫度分布的影響。最后本文詳細研究了SOI-LDMOS器件的柵電壓、漏電壓、SOI層厚度、埋氧層厚度、溝道及漂移區(qū)等結構參

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論