模擬電子技術(shù)基礎知識點總結(jié)

1、模擬電子技術(shù)復習資料總結(jié)第一章 半導體二極管一.半導體的基礎知識 1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅 Si、鍺 Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。 4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導體----在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P 型半導體: 在本征半導體中摻入

2、微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子） 。*N 型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴） 。6. 雜質(zhì)半導體的特性 *載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關。 *體電阻---通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。 *轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。 7. PN 結(jié)* PN 結(jié)的接觸電位差---硅材料約為 0.6~0.8V，鍺材料約為 0.

3、2~0.3V。* PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導通，反偏截止。8. PN 結(jié)的伏安特性二. 半導體二極管*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。 *正向?qū)▔航?-----硅管 0.6~0.7V，鍺管 0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管 0.5V，鍺管 0.1V。 3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若 V 陽 >V 陰( 正偏 )，二極管導通(短路);

4、若 V 陽 <V 陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點 Q。 二. 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài)2. 三極管內(nèi)各極電流的分配* 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。3. 共射電路的特性曲線*輸入特性曲線---同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用 UCES 表示 放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集