模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)匯總

1、模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)第一章第一章半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.1.半導(dǎo)體半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅如硅SiSi、鍺、鍺Ge)Ge)。2.2.特性特性光敏、熱敏和摻雜特性。光敏、熱敏和摻雜特性。3.3.本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.4.兩種載流子兩種載流子帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為

2、載流子。帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為載流子。5.5.雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。PP型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。NN型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）在本

3、征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6.6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性載流子的濃度載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。體電阻體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱(chēng)為體電阻。通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱(chēng)為體電阻。轉(zhuǎn)型轉(zhuǎn)型通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.7.PN

4、PN結(jié)PNPN結(jié)的接觸電位差結(jié)的接觸電位差硅材料約為硅材料約為0.6~0.8V0.6~0.8V，鍺材料約為，鍺材料約為0.2~0.3V0.2~0.3V。PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.8.PNPN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性二.半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管?微變等效電路法微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管的特性穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時(shí)處在正常工作時(shí)處在PNP

5、N結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。接。第二章第二章三極管及其基本放大電路三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類(lèi)型及特點(diǎn)三極管的結(jié)構(gòu)、類(lèi)型及特點(diǎn)1.1.類(lèi)型類(lèi)型分為分為NPNNPN和PNPPNP兩種。兩種。2.2.特點(diǎn)特點(diǎn)基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸