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文檔簡介
1、第一章 緒論第二章 現(xiàn)代第一章 緒論第二章 現(xiàn)代 CMOS 工藝技術(shù)第三章 晶體生長與襯底制備工藝技術(shù)第三章 晶體生長與襯底制備第四章 加工環(huán)境與基片清洗第五章 光刻第六章 熱氧化第七章 擴散摻雜第八章 離子注入摻雜第九章 薄膜淀積第四章 加工環(huán)境與基片清洗第五章 光刻第六章 熱氧化第七章 擴散摻雜第八章 離子注入摻雜第九章 薄膜淀積第十章 刻蝕第十一章 后段工藝與集成第十章 刻蝕第十一章 后段工藝與集成1微電子工藝學1刻蝕速率 刻蝕速
2、率 R (etch rate)單位時間的刻蝕厚度，典型值為幾百至幾千單位時間的刻蝕厚度，典型值為幾百至幾千Å/min?？涛g均勻性。刻蝕均勻性 (etch uniformity)個基片內(nèi)不同地方或幾個基片之間刻蝕速率變化的百分比個基片內(nèi)不同地方或幾個基片之間刻蝕速率變化的百分比選擇性 選擇性 S (Selectivity)刻蝕液對不同材料刻蝕速率的 比值 刻蝕液對不同材料刻蝕速率的 比值各項異性度 各項異性度 Af (Aniso
3、tropy)沿襯底表面橫向與縱向刻蝕速率的差異，沿襯底表面橫向與縱向刻蝕速率的差異，0 ≤ A ≤1掩膜層下刻蝕 掩膜層下刻蝕 (Undercut) 橫向單邊的過腐蝕量 橫向單邊的過腐蝕量刻蝕品質(zhì)因素（ 刻蝕品質(zhì)因素（figures of merit）12r S = r3待刻材料的刻蝕速率 待刻材料的刻蝕速率 待刻材料的刻蝕速率 待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率 掩膜或下層材料的刻蝕速率 掩膜或下層材料的刻蝕速率 掩膜或下層材
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