2014年電子科技大學(xué)832 微電子器件考研真題

1、微電子器件試題共6頁(yè)，第1頁(yè)電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)2014年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題年攻讀碩士學(xué)位研究生入學(xué)考試試題考試科目：考試科目：832微電子器件微電子器件注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。注：所有答案必須寫在答題紙上，寫在試卷或草稿紙上均無效。一、填空題（共一、填空題（共48分，每空分，每空1.5分）分）1、PN結(jié)二極管用途廣泛，在作為變?nèi)荻O管使用時(shí)，主要利用其（）向偏置的（）電容；在作為溫度傳感

2、器使用時(shí)，主要利用其正向?qū)▔航禃?huì)隨溫度的升高而（）。2、一個(gè)PN型的二極管，電子和空穴的壽命分別為τn和τp，在外加正向直流電壓V1時(shí)電流為I1，當(dāng)外加電壓反向?yàn)椋璙2時(shí)，器件會(huì)經(jīng)歷一段反向恢復(fù)過程，這主要是由正向?qū)〞r(shí)存儲(chǔ)在（）型中性區(qū)中的非平衡少子造成的，該非平衡少子的總量為（）。3、防止PN結(jié)發(fā)生熱擊穿，最有效的措施是降低器件的（）。同時(shí)，禁帶寬帶越（）的半導(dǎo)體材料，其熱穩(wěn)定性越好。（第二個(gè)空填“大”或“小”）4、雙極型晶體管的

3、基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)越嚴(yán)重，其厄爾利電壓越（），共發(fā)射極增量輸出電阻越（）。（填“大”或“小”）5、已知雙極型晶體管的基區(qū)度越時(shí)間和基區(qū)少子壽命分別為τb和τB，則1τB表示的物理意義為（），因此τbτB可以表示（）。6、MOSFET的亞閾區(qū)擺幅S反應(yīng)了在亞閾區(qū)中（）的控制能力。柵氧化層越厚，則S越（），該控制能力越（）。（第二個(gè)空填“大”或“小”，第三個(gè)空填“強(qiáng)”或“弱”）7、當(dāng)金屬和P型半導(dǎo)體形成金半接觸時(shí)，如果金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的

4、功函數(shù)，半導(dǎo)體表面將形成（），該結(jié)構(gòu)（）單向?qū)щ娦?。（從以下選項(xiàng)中選擇）A電子阻擋層B電子反阻擋層C空穴阻擋層D空穴反阻擋層E具有F不具有微電子器件試題共6頁(yè)，第3頁(yè)2、下圖是一個(gè)通過擴(kuò)散工藝制作的PN結(jié)，由于橫向擴(kuò)散，在PN結(jié)終止的地方會(huì)形成彎曲的結(jié)面。發(fā)現(xiàn)該P(yáng)N結(jié)的雪崩擊穿電壓遠(yuǎn)小于平行平面結(jié)擊穿電壓的理論計(jì)算值，造成該現(xiàn)象的原因是什么？如果要提高該結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，對(duì)擴(kuò)散工藝的時(shí)間應(yīng)該做怎樣的調(diào)整？為什么？（9分）。3、請(qǐng)畫出PNP