nand_flash簡明自學(xué)資料（上）

1、NFlash簡明自學(xué)自學(xué)資料——助您理解datasheet要點內(nèi)容內(nèi)容清單：一技術(shù)技術(shù)常識常識部分部分1、邏輯組成組成2、常見參數(shù)參數(shù)3、地址地址結(jié)構(gòu)二基本操作、基本操作、時序圖時序圖部分部分通用引腳引腳符號符號聲明1、Read—讀2、Program—寫3、BlockErase—擦除擦除4、其它時序圖時序圖要點要點講解編寫目的：寫目的：從編程操作角度，簡介一些有助于理解nflashdatasheet（數(shù)據(jù)手冊）上相關(guān)內(nèi)容的要點。編寫原因

2、：寫原因：?各種nnflash英文datasheets上的內(nèi)容雖詳盡但繁雜，有些業(yè)內(nèi)常識性的東西沒交代清楚，給初學(xué)者造成困擾；?不同的datasheets都有一些共通的要點（基本架構(gòu)、指令和符號等），了解這些后再看datasheet的操作命令和時序圖部分會省力很多。2Plane（層）（層）:可將flash里眾多的block分成不同的層，并使用多層操作指令以提高存取效率。此外，此外，根據(jù)flash容量大小，還可定義更高一級的存儲單位，如L

3、UN（LogicUnitNumber）；一個device可集成多個flashchip（閃存芯片閃存芯片），工作時可根據(jù)它們各自的運行狀態(tài)為之安排執(zhí)行任務(wù)，使它們同步運行。2、常見參數(shù)參數(shù)（注：（注：不同廠商不同時期的不同型號產(chǎn)品參數(shù)會有差異，但在一定時期內(nèi)，相同近的技術(shù)支持使得大部分flash參數(shù)在數(shù)值或數(shù)量級上相同近；下面以Samsung（三星）（三星）K9GAG08U0M的參數(shù)為例。）（1）Vcc（工作電壓工作電壓）：3.33.3V

4、（波動范圍：2.72.7V—3.63.6V）（2）MemyCell：2bitMemyCell[①上面表示每個cell存2bit數(shù)據(jù)，即所謂MLC（MultiLevelCell，多層式儲存單元)類型的flash，如果是1bitCell和3bitCell則分別稱為SLC（SingleLevelCell）和TLC（TripleLevelCell）；②隨著cell內(nèi)數(shù)據(jù)容量增加，flash的存儲量雖增加，造價也大幅降低了，但數(shù)據(jù)存取的出錯率卻增

5、加，速度變慢，壽命也變短，目前，SLC類型flash適用于對穩(wěn)定性要求高的小容量儲存系統(tǒng)，而MLC則成為大容量儲存領(lǐng)域的主流；③nflash上可同時集成MLC、SLC和TLC區(qū)域，操作時必須切換到相應(yīng)模式。]（3）PageSize：（4K128128）Byte（4KB是IOIO數(shù)據(jù)存儲區(qū)的容量，而128128Byte為附加存儲區(qū)的大小）（4）DataRegisterSize：（4K128128）Byte（5）BlockSize：（512

6、512K1616K）Byte（=128=128PageSize，即此型號1block含72page）（6）PageProgramTime：0.80.8mS（Typ，表示通常情況下頁編程操作的平均平均時間）（7）BlockEraseTime：1.51.5mS（Typ）（8）SerialAcessTime：2525nS（Min）[即ReadWriteCycleTime(Min)，按順序從IO對Cache進行1次數(shù)據(jù)存取的最小最小時間]（9）

7、ECCRequirement：8bitKB（每KBKBIOIO存儲數(shù)據(jù)要求附帶的存放在額外存儲區(qū)的校驗糾錯碼位數(shù)位數(shù)）3、地址地址結(jié)構(gòu)（下面的）????15.0?”表示向上取整，如“由于一般nflash傳遞地址等信息時是8bit次，對應(yīng)某些datasheet中的“8（Bit）”，即以1Byte為不可拆分的傳輸單位，又因塊、頁和頁內(nèi)存儲單位的地址編號一般是分開傳輸?shù)模ㄟ@樣在操作處理時很方便，不用辨認再分），所以，若flash有個x個blo