NAND FLASH編程驗(yàn)證和算法優(yōu)化.pdf

1、本論文首先介紹了作為研究對象NANDFLASH存儲器技術(shù)和市場狀況，同時對NOR類型和NAND類型進(jìn)行了比較。 正因?yàn)镹ANDFLASH產(chǎn)品在市場中發(fā)揮著越來越重要的作用，很多整機(jī)(比如手機(jī)廠商等)廠商改變設(shè)計(jì)思路：直接從NANDFLASH啟動代碼。這就需要預(yù)先把啟動代碼編程到NANDFLASH存儲器里面。然而，要在ICT(InCircuitTest)或者FT(FunctionalTest)對大容量器件實(shí)現(xiàn)編程功能，會極大影響產(chǎn)

2、品線的利用率。為了解決這個瓶頸問題，整機(jī)廠商一般都借助離線或者在線編程器，來實(shí)現(xiàn)預(yù)編程。 目前，市場上有很多的編程器廠家，比較有代表性的有本文涉及的DATAI／O(USA)、SG(TAIWAN)、MINATO(JAPAN)和XELTEK(USA)等。由于不同的編程器廠家開發(fā)平臺不盡相同，編程器的性能也參差不齊。這給最終客戶帶來很多的問題，進(jìn)而影響到作為芯片提供廠商如ST(因?yàn)楹芏嗾麢C(jī)廠家會把問題同時轉(zhuǎn)嫁給編程器廠家和芯片生產(chǎn)商)

3、。 本課題就是以STMicroelectronics的NANDFlashMemory為研究對象，借助示波器和邏輯分析儀作為輔助平臺，對不同編程器的編程算法進(jìn)行包括功能和時序方面的驗(yàn)證，特別是對基本操作：讀操作／編程操作／擦除操作的速度和性能進(jìn)行驗(yàn)證。重要的是，對影響編程和擦除操作的重要參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。同時對BBM的不同解決方案進(jìn)行驗(yàn)證，確保操作的準(zhǔn)確性。 驗(yàn)證結(jié)果表明：1)這些編程器都能夠很好地支持ST的NANDFLASH

4、，基本操作都滿足DATASHEET的要求；2)不同編程器的性能有很大差別，DATAI／O在編程方面的優(yōu)勢十分明顯。 通過對不同編程器的性能和速度的比較，找出造成差別的軟硬件原因，和編程器廠家合作，進(jìn)而優(yōu)化編程算法。 另外，我們又借助通用編程器的開發(fā)思想，以ARM7內(nèi)核為框架基礎(chǔ)，自主開發(fā)出用于驗(yàn)證FLASH產(chǎn)品的通用工具M(jìn)FDK(MemoryFunctionDiagnosisKit)，實(shí)現(xiàn)對不同容量、不同類型(NORFL