用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的pecvd技術(shù)

1、用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的用于晶體硅薄膜電池生產(chǎn)的PECVD技術(shù)技術(shù)摘要摘要隨著化石能源的日益枯竭、人們對環(huán)境保護(hù)問題的重視程度不斷提高，尋找潔凈的替代能源問題變得越來越迫切。太陽能作為一種可再生清潔能源，并可持續(xù)利用，因此有著廣闊的應(yīng)用前景，光伏發(fā)電技術(shù)也越來越受到人們的關(guān)注。一引言引言為了降低晶體硅太陽電池的效率，通常需要減少太陽電池正表面的反射，還需要對晶體硅表面進(jìn)行鈍化處理，以降低表面缺陷對于少數(shù)載流子的復(fù)合作用。硅的折射率為3.

2、8，如果直接將光滑的硅表面放置在折射率為1.0的空氣中，其對光的反射率可達(dá)到30%左右。人們使用表面的織構(gòu)化降低了一部分反射，但是還是很難將反射率降得很低，尤其是對多晶硅，使用各向同性的酸腐蝕液，如果腐蝕過深，會影響到PN結(jié)的漏電流，因此其對表面反射降低的效果不明顯。因此，考慮在硅表面與空氣之間插一層折射率適中的透光介質(zhì)膜，以降低表面的反射，在工業(yè)化應(yīng)用中，SiNx膜被選擇作為硅表面的減反射膜，SiNx膜的折射率隨著x值的不同，可以從1

3、.9變到2.3左右，這樣比較適合于在3.8的硅和1.0的空氣中進(jìn)行可見光的減反射設(shè)計，是一種較為優(yōu)良的減反射膜。另一方面，硅表面有很多懸掛鍵，對于N型發(fā)射區(qū)的非平衡載流子具有很強的吸引力，使得少數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合作用，從而（2）板式PECVD系統(tǒng)：即將多片硅片放置在一個石墨或碳纖維支架上，放入一個金屬的沉積腔室中，腔室中有平板型的電極，與樣品支架形成一個放電回路，在腔室中的工藝氣體在兩個極板之間的交流電場的作用下在空間形成等離子體，分解S

4、iH4中的Si和H，以及NH3種的N形成SiNx沉積到硅表面。這種沉積系統(tǒng)目前主要是日本島津公司在進(jìn)行生產(chǎn)。間接法又分成兩種：（1）微波法：使用微波作為激發(fā)等離子體的頻段。微波源置于樣品區(qū)域之外，先將氨氣離化，再轟擊硅烷氣，產(chǎn)生SiNx分子沉積在樣品表面。這種設(shè)備目前的主要制造商為德國的Roth&Rau公司。（2）直流法：使用直流源激發(fā)等離子體，進(jìn)一步離化氨氣和硅烷氣。樣品也不與等離子體接觸。這種設(shè)備由荷蘭的OTB公司生產(chǎn)。目前，在中國