PECVD制備摻雜納晶硅薄膜的性能研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用PECVD制備納晶硅薄膜，實(shí)驗(yàn)選用10％的SiH4作為硅源，在普通玻璃襯底上沉積了硼摻雜硅薄膜。制備的工藝參數(shù)范圍如下，沉積溫度;350℃-550℃; SiH4氣體流量:10SCCM-50SCCM;射頻功率:60W-140W;本底真空度:7.5×10-4Pa;沉積氣壓:100Pa;沉積時(shí)間:30-60min。采用掃描電子顯微鏡(SEM)，X射線衍射儀(XRD)，四探針(Four-Probe)等手段研究了沉積溫度，射頻功率等參數(shù)對(duì)

2、硅薄膜的結(jié)構(gòu)，電學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明:PECVD制備摻B硅薄膜時(shí)，隨著襯底溫度的增加，電阻率先降低后升高，在450℃～500℃的溫度范圍內(nèi)有利于B元素?fù)饺牍璞∧ぶ?摻B時(shí)不同射頻功率制備硅薄膜的電阻率，隨著入射功率的增加，電阻率先降低后升高，入射功率為100W與60W時(shí)比較下降一個(gè)數(shù)量級(jí)，由此說明，高于60W射頻功率時(shí)有利于B元素?fù)饺牍璞∧ぶ小?br>　　運(yùn)用CS350電化學(xué)工作站測(cè)量了硅薄膜的腐蝕過程，研究了硅薄膜制備參數(shù)如襯底

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