通用FLASH的設(shè)計(jì)與研究.pdf

1、FLASH是目前非易失性存儲(chǔ)器（NVM）中發(fā)展最為成熟的存儲(chǔ)器。而NVM是半導(dǎo)體工業(yè)中成長(zhǎng)速度最快的部分之一。FLASH采用類似于EPROM單管疊柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元，是新一代電信號(hào)可擦除的可編程ROM。它既吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，編程方便的優(yōu)點(diǎn)，又具有EPROM有隧道效應(yīng)擦除的快捷特性，集成度可做的很高，因而在便攜式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和各種圖像采集記錄系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。 本文就重點(diǎn)對(duì)通用Flash設(shè)計(jì)中的一些問題進(jìn)行研究，包括架構(gòu)發(fā)

2、展趨勢(shì)，芯片整體框架和模塊劃分，主要功能模塊的設(shè)計(jì)，并且注重實(shí)際芯片的實(shí)現(xiàn)。對(duì)整個(gè)Flash芯片，特別是電壓泵電路等進(jìn)行重點(diǎn)研究。由于現(xiàn)今存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)激烈，我們只有保證Flash Memory快速的讀寫速度和低的功耗才能在市場(chǎng)上保有一席之地。因此，這也將是我們整個(gè)芯片的設(shè)計(jì)目標(biāo)所在。 而在存儲(chǔ)單元中，隨著電源電壓的不斷降低，為了完成編程擦除等操作，設(shè)計(jì)一個(gè)高性能的電壓泵電路變得十分重要。在傳統(tǒng)的電壓泵電路中，電壓泵的輸出電壓

3、由于襯偏效應(yīng)而產(chǎn)生閾值損失。而四相位電壓泵則可以使電壓無(wú)損失的向后傳輸，但是這個(gè)電路的速度及驅(qū)動(dòng)能力不太夠。因此，本文將以傳統(tǒng)的四相位電壓泵為原型，設(shè)計(jì)一款新型的電壓泵電路。對(duì)該電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工作原理進(jìn)行了深入的理論分析及設(shè)計(jì)仿真分析，結(jié)果表明這款電路可以克服以前電壓泵電路的不足，具有更高的性能。此外，本文還設(shè)計(jì)了一款負(fù)高壓電壓泵電路用于擦除操作，對(duì)該電路不同于正高壓泵的地方進(jìn)行了分析仿真，表明在特殊的三阱工藝上可以同時(shí)降低襯偏及得到