純CMOS參考源電路的設(shè)計(jì).pdf

1、參考源電路（Reference Circuit）是一個(gè)重要的單元模塊，廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路、數(shù)模混合信號(hào)集成電路和系統(tǒng)集成芯片（SoC)中。本論文基于CSMC 0.6μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝技術(shù)，采用亞閾值MOSFET設(shè)計(jì)純CMOS基準(zhǔn)參考源電路,具有一定創(chuàng)新性和先進(jìn)性。
　　 本論文的研究工作主要包括三方面內(nèi)容，即亞閾值MOSFET基準(zhǔn)參考源電路模型的研究、具有曲率補(bǔ)償?shù)母咝阅軄嗛撝礛OSFET 電流?；鶞?zhǔn)參考源電路的設(shè)

2、計(jì)和亞閾值MOSFET基準(zhǔn)參考源電路的工藝誤差修正，版圖設(shè)計(jì)及后仿真驗(yàn)證。
　　 對于亞閾值MOSFET基準(zhǔn)參考源電路模型的研究。首先基于CMOS 器件結(jié)構(gòu)和影響MOSFET閾值電壓的因素，總結(jié)出MOSFET 閾值電壓的表達(dá)式，并定性地分析了MOSFET閾值電壓的溫度特性。接下來根據(jù)亞閾值電流方程，先從理論上分析了亞閾值MOSFET 柵源極電壓的溫度特性，然后采用CSMC 0.6μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS數(shù)字邏輯工藝技術(shù)模型加以驗(yàn)證，得出

3、：亞閾值MOSFET的電流-電壓特性滿足準(zhǔn)指數(shù)關(guān)系，并且亞閾值MOSFET柵源極電壓VGS的溫度特性與BJT基極—發(fā)射極電壓VBE的溫度特性類似。從而獲得設(shè)計(jì)純CMOS亞閾值基準(zhǔn)參考源電路的所必需的理論依據(jù)。
　　 對于亞閾值MOSFET基準(zhǔn)參考源電路的設(shè)計(jì)。首先，使用工作在亞閾值區(qū)的NMOSFET 取代寄生雙極型晶體管，設(shè)計(jì)了簡單的亞閾值MOSFET電流?；鶞?zhǔn)參考源電路。然后，在討論傳統(tǒng)BJT帶隙參考源曲率補(bǔ)償方法的基礎(chǔ)上，提