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1、分類號UDC密級～公無暑哦瀘產(chǎn)篝碩士研究生學(xué)位論文基于CMOS工藝的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)申請人：學(xué)號：培養(yǎng)單位：學(xué)科專業(yè)：研究方向：指導(dǎo)教師：校外導(dǎo)師：完成日期：馬林3121708電子工程學(xué)院集成電路工程集成電路工程曲偉教授張洪泉高級研究員2015年11月1日黑龍江大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractReferencecircuitcanprovidethesystemwithvirtuallyindependentofsupplyvoltage
2、，theuseofprocessparameters，temperaturedevoltageorcurrentwhichiswidelyusedinanaloganddigital，analogandmixedintegratedsystemsThebandgapreferencevoltageislessdemandingonpowerhasgoodtemperaturecharacteristics，verylittlequies
3、centcurrenttomeettherequirementsofthegeneralcharacteristicsoftheintegratedcircuit，itisalsooftenusedinlowpowercircuitryThispaperbasedonSMIC051maCMOSprocesstodesignabandgapvoltagereferencecircuit，whichconsistsofopencircuit
4、，biascircuit，amplifyingcircuitandthereferencevoltagegenerationcircuitoffourparts，atthesametime，IusetheCadenceSpectretosimulateandvitrification，andanalysistheresultsSimulationresultsshowsthat：thebandgapreferencevoltagesou
5、rceintherangeof50“C100Ctemperaturecoefficientof81lpprn／C5608pp州℃，powersupplyvoltageis19V5Vthisvoltagerange，theperformanceofthereferencesourceparameterstomeetexpectationsThebandgapreferencelayoutdrawing，DRCandLVSiscomplet
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