磁控濺射法制備p型透明導(dǎo)電二氧化錫薄膜.pdf

1、本文綜合介紹了各種制備SnO2薄膜的工藝方法、SnO2薄膜的特性及其應(yīng)用，SnO2薄膜的p型摻雜機(jī)理，并分析了在相對(duì)低的溫度下獲得性能良好的p型TCO薄膜的途徑。本文實(shí)驗(yàn)中采用不同的元素對(duì)SnO2進(jìn)行p型摻雜，并通過(guò)不同的工藝參數(shù)來(lái)制備p型的SnO2薄膜的性能。通過(guò)直流磁控濺射合金靶沉積合金膜(摻雜金屬與Sn原子比均為0.2)，然后在空氣中熱氧化得到p型的SnO2薄膜的方法，分別對(duì)SnO2薄膜進(jìn)行了摻In、摻Ga試驗(yàn)，成功地獲得了p型的

2、SnO2：In和SnO2：Ga透明導(dǎo)電薄膜。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，600℃～700℃溫度范圍內(nèi)熱氧化得到的SnO2:In薄膜，在可見(jiàn)光范圍的平均透過(guò)率可以達(dá)到80％以上，空穴濃度最高可以達(dá)到9.61×1018cm-3。但用同樣方法制備的p型的SnO2：Ga薄膜的電學(xué)性能比SnO2：In薄膜的差。表明對(duì)磁控濺射法制備p型SnO2薄膜時(shí)，摻In比摻Ga更有效。實(shí)驗(yàn)還通過(guò)反應(yīng)濺射法沉積了SnO2：In薄膜，發(fā)現(xiàn)其電學(xué)性能遠(yuǎn)不及先沉積合金膜，然后熱氧化法制