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文檔簡介
1、本文采用射頻磁控濺射法在載玻片玻璃基片上制備了Li:ZnO薄膜,研究了磁控濺射功率、基片溫度、熱處理溫度、過渡層種類及厚度等工藝參數(shù)對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響,運用XRD、AFM、SEM、EDS、PL、光學(xué)透過率等測試手段對樣品進行了分析,結(jié)果表明:在無基片加熱的情況下,高濺射功率(550W)制備的薄膜呈現(xiàn)較好的(100)擇優(yōu)取向性,其定向指數(shù)達到0.752,而在較低的功率(200~380W)下濺射薄膜為(101)取向,定向指數(shù)達0.
2、799;在基片加熱至250℃,濺射功率200W時,制備的ZnO薄膜則表現(xiàn)為(002)擇優(yōu)取向性,定向指數(shù)為0.742。對三種擇優(yōu)取向薄膜的晶格常數(shù)的測試結(jié)果表明,(002)取向的晶胞較小,而(101)取向的薄膜晶胞最大,這主要是因為薄膜的擇優(yōu)生長方向主要取決于生長過程中原子的堆積方式的不同,從而導(dǎo)致材料中的各種缺陷的變化。(100)取向薄膜的PL譜以Li的雜質(zhì)能級峰(399nm)為主,(002)取向的薄膜以Zni缺陷的能級峰(420nm
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