深亞微米移動(dòng)多媒體處理器的節(jié)電技術(shù).pdf

1、如今，集成電路和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)正變得越來(lái)越復(fù)雜。對(duì)于總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，功耗在設(shè)計(jì)中的地位已變得越來(lái)越重要，這是電子工業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。電子工業(yè)發(fā)展總的趨勢(shì)是提供更小、更輕和功能更強(qiáng)大的最終產(chǎn)品。目前許多產(chǎn)品領(lǐng)域中還出現(xiàn)了無(wú)線(xiàn)和便攜式的要求，從功率觀點(diǎn)看設(shè)計(jì)任務(wù)將變得更加艱巨。
　　 便攜式產(chǎn)品是IT技術(shù)融合、發(fā)展的必然產(chǎn)物，是一個(gè)全新的數(shù)字多媒體終端。便攜式是我們消費(fèi)電子娛樂(lè)產(chǎn)品的發(fā)展必然趨勢(shì)，處于移動(dòng)狀態(tài)的終端會(huì)越來(lái)越多，在市場(chǎng)競(jìng)

2、爭(zhēng)非常激烈的同時(shí)，新的技術(shù)方案也不斷涌現(xiàn)，引發(fā)新一輪個(gè)人便攜多媒體終端及相關(guān)配套市場(chǎng)發(fā)展的浪潮，也迎來(lái)了前所未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，產(chǎn)品功能日趨完善的同時(shí)，電源的穩(wěn)定性以及功耗問(wèn)題也日顯突出。
　　 飛思卡爾iMX21深亞微米移動(dòng)多媒體處理器的well bias節(jié)電結(jié)構(gòu)可以對(duì)PMOS與NMOS的襯底偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。從靜態(tài)電流的模擬分析中我們能夠看到?jīng)]有well bias節(jié)電結(jié)構(gòu)的芯片與帶有well bias節(jié)電結(jié)構(gòu)的芯片相比，漏電流

3、提高了10倍。同時(shí)從這些實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中我們能夠得出，P型阱的襯底偏置為-1V，N型阱的襯底偏置為Vdd+0.6V時(shí)。整個(gè)器件的漏電流最小。
　　 在大多數(shù)情形下，對(duì)低功耗的要求必須同時(shí)滿(mǎn)足對(duì)高芯片密度以及高吞吐量電路的同等迫切的要求。在前沿的技術(shù)中，降低功耗是一項(xiàng)關(guān)鍵人物，特別是隨著晶體管尺寸的縮小而在硅片上增加晶體管密度的情況下。降低功耗也是數(shù)字電路設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重要目標(biāo)。本文討論基于低功耗CMOS電路的各種設(shè)計(jì)技術(shù)。并重點(diǎn)闡明阱極偏