2，6-二噻吩基并苯齊聚物的能級和電子光譜的理論研究.pdf

1、近年來，π-共軛聚合物和齊聚物由于具有獨特半導體特性、光電性質(zhì)以及在電子器件的潛在應用而越來越引起人們廣泛關注。并苯類不僅是一種導電高分子材料，同時也是一種性能良好的電致發(fā)光材料。在并苯系列中，并五苯(Pentacene)具有最高的電荷遷移率，是用于制備有機場效應晶體管的最有前途的材料之一。 本論文對2,6-二噻吩基并苯齊聚物的能級結(jié)構與電子光譜性質(zhì)關系進行理論研究，為新有機材料的設計提供新的理論基礎和指導。應用密度泛函理論B3

2、LYP方法在6-31G(d)基組水平上計算了系列2,6-二噻吩基并苯齊聚物(nDTA，n=0-5)。幾何優(yōu)化結(jié)果表明，鍵長改變主要發(fā)生在苯環(huán)靠近端基一側(cè)，而噻吩環(huán)鍵長幾乎沒有變化。同時分析了噻吩取代基和并苯重復單元增加對體系前線軌道的影響，電子結(jié)構計算結(jié)果表明，隨著并苯重復單元數(shù)目n的增加，HOMO能量增大，LUMO能量降低，導致HOMO-LUMO能隙EH-L逐漸減?。慌c并苯相比，噻吩取代對并苯體系中HOMO能量略有提高，LUMO能量有