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1、近年來,聚酰亞胺/二氧化硅(PI/SiO2)納米雜化材料已成為合成高分子材料新的研究熱點(diǎn)。目前為止,國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)PI/SiO2納米雜化薄膜已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究,主要集中在PI/SiO2納米雜化薄膜的合成以及力學(xué)性能、熱性能、電性能等方面。關(guān)于不同摻雜條件對(duì)PI/SiO2雜化薄膜聚集態(tài)結(jié)構(gòu)的影響研究較少,目前尚未形成完整的關(guān)于納米復(fù)合材料性能與聚集態(tài)結(jié)構(gòu)之間關(guān)系的研究體系。 本文采用兩步法,兩相原位同步聚合技術(shù)制備PI/SiO2納
2、米雜化薄膜。以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)為有機(jī)單體,通過其在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中的逐步縮聚反應(yīng)制備聚酰胺酸(PAA);以正硅酸乙酯(TEOS)為無(wú)機(jī)前驅(qū)體,通過其在DMAc的溶液中經(jīng)溶膠-凝膠反應(yīng)與聚酰胺酸原位同步生成無(wú)機(jī)相SiO2,得到雜化PAA膠液,經(jīng)熱亞胺得到PI/SiO2納米雜化薄膜。本文采用傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、廣角X
3、射線衍射儀(WAXD)分析了PAA雜化膠液固體含量、水含量、溶劑和熱亞胺化工藝對(duì)PI/SiO2納米雜化薄膜聚集態(tài)結(jié)構(gòu)的影響。 研究結(jié)果表明,本實(shí)驗(yàn)工藝路線能夠成功制備出PI/SiO2納米雜化薄膜。以上四種工藝參數(shù)均對(duì)PI/SiO2納米雜化薄膜聚集態(tài)結(jié)構(gòu)有不同程度的影響。當(dāng)固體含量在一定范圍內(nèi)時(shí),SiO2粒子粒徑隨固體含量增加而增加。水含量過多或過少對(duì)雜化薄膜聚集態(tài)結(jié)構(gòu)均產(chǎn)生不利影響。采用不同溶劑時(shí),PI/SiO2納米雜化薄膜聚集
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