PI-MWNTs納米雜化薄膜的制備與電性能研究.pdf

1、聚酰亞胺(PI)作為一種高性能工程材料,在寬廣的溫度范圍內有著優(yōu)異的物理及化學性能,能夠廣泛應用在航空/航天、電氣/電子等領域。近十年來,為滿足各領域對PI材料性能更高的要求,國內外學者采用各類無機納米粒子組分改性PI,與其它無機納米粒子相比,碳納米管(MWNTs)具有極大的長徑比、高強度、一維導電、高導熱性等諸多優(yōu)異性能,成為近年來改性PI的研究熱點。
　　 本文擬采用MWNTs對PI進行改性,利用兩種方法對不同長徑比的。MW

2、NTs進行了功能化處理,并將功能化的MWNTs均勻分散在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)溶劑中,在MWNTs的DMAc溶液中原位生成均苯型聚酰胺酸雜化膠液,然后在玻璃板上流延成膜,經(jīng)過逐步升溫熱亞胺化,得到三個系列的PI/MWNTs納米雜化薄膜。
　　 本文對雜化薄膜的表面和斷面形貌進行了表征,對雜化薄膜的電性能進行了分析。研究結果表明:MWNTs的功能化處理改善了其在溶液和雜化薄膜中的分散性,增強了與PI基體的相容性。在摻雜量

3、小于0.7wt％時,三種雜化薄膜的耐電暈時間均隨摻雜量的增加先升高后下降,A體系的耐電暈時間最長為7.75h,B體系為5.75h,C體系為9.5h；摻雜量小于5wt％時,雜化薄膜的介電常數(shù)隨著MWNTs摻雜量的增加而變大,在102Hz～106Hz頻率范圍內隨著頻率的升高而減小；摻雜量小于0.56wt％時,雜化薄膜的介電損耗在102Hz～106Hz頻率范圍內隨頻率升高而增加,隨著摻雜量的提高而變大；摻雜量小于1.5wt％時,三個體系雜化薄