PI-MWNTs納米雜化薄膜的制備與電性能研究.pdf

1、聚酰亞胺(PI)作為一種高性能工程材料,在寬廣的溫度范圍內(nèi)有著優(yōu)異的物理及化學(xué)性能,能夠廣泛應(yīng)用在航空/航天、電氣/電子等領(lǐng)域。近十年來,為滿足各領(lǐng)域?qū)I材料性能更高的要求,國內(nèi)外學(xué)者采用各類無機納米粒子組分改性PI,與其它無機納米粒子相比,碳納米管(MWNTs)具有極大的長徑比、高強度、一維導(dǎo)電、高導(dǎo)熱性等諸多優(yōu)異性能,成為近年來改性PI的研究熱點。
　　 本文擬采用MWNTs對PI進(jìn)行改性,利用兩種方法對不同長徑比的。MW

2、NTs進(jìn)行了功能化處理,并將功能化的MWNTs均勻分散在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)溶劑中,在MWNTs的DMAc溶液中原位生成均苯型聚酰胺酸雜化膠液,然后在玻璃板上流延成膜,經(jīng)過逐步升溫?zé)醽啺坊?得到三個系列的PI/MWNTs納米雜化薄膜。
　　 本文對雜化薄膜的表面和斷面形貌進(jìn)行了表征,對雜化薄膜的電性能進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明:MWNTs的功能化處理改善了其在溶液和雜化薄膜中的分散性,增強了與PI基體的相容性。在摻雜量

3、小于0.7wt％時,三種雜化薄膜的耐電暈時間均隨摻雜量的增加先升高后下降,A體系的耐電暈時間最長為7.75h,B體系為5.75h,C體系為9.5h；摻雜量小于5wt％時,雜化薄膜的介電常數(shù)隨著MWNTs摻雜量的增加而變大,在102Hz～106Hz頻率范圍內(nèi)隨著頻率的升高而減?。粨诫s量小于0.56wt％時,雜化薄膜的介電損耗在102Hz～106Hz頻率范圍內(nèi)隨頻率升高而增加,隨著摻雜量的提高而變大；摻雜量小于1.5wt％時,三個體系雜化薄