2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、該文的研究內(nèi)容分為以下兩方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切襯底上Ge量子點(diǎn)的固相外延生長.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在Si（001）6°斜切襯底上固相外延生長Ge量子點(diǎn)的最佳退火溫度為640℃,在斜切襯底上成島生長的臨界厚度低于在Si（001）襯底成島生長的臨界厚度,6斜切襯底上淀積0.7nmGe即可成島,少于Si（001）襯底上Ge成島所需的淀積量.從Ge量子點(diǎn)的密度隨固相外延溫度的變化曲線,得到Ge量子點(diǎn)的激活能為2.Oe

2、V,遠(yuǎn)高于Si（111）面上固相外延Ge量子點(diǎn)的激活能0.3eV.實(shí)驗(yàn)亦發(fā)現(xiàn),在Si（001）斜切襯底上固相外延生長的Ge量子點(diǎn)較Si（001）襯底上形成的量子點(diǎn)的熱穩(wěn)定性要好.2.PL譜測量得到了外延生長Ge量子點(diǎn)的發(fā)光峰.利用分子束外延,在Si（001）襯底上淀積了三層10nm厚的Ge層,每層Ge中間由Si間隔層隔開.由AFM和XTEM觀察到,埋在Si中的Ge層和表面的Ge層均已成島.700℃退火后,在低溫下觀察到了位于900meV

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