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1、在圖形化Si(001)襯底上通過(guò)自組織生長(zhǎng),我們可以得到帶有薄Si空間層的多層有序鍺硅量子點(diǎn)。鍺硅量子點(diǎn)的空間有序結(jié)構(gòu)由周期性的圖形化襯底所決定,而這空間有序結(jié)構(gòu)和平襯底的隨機(jī)量子點(diǎn)相比,顯著提高了量子點(diǎn)尺寸的均一性,我們可以通過(guò)AFM圖可以明顯看到這一點(diǎn)。同時(shí)在做光致發(fā)光實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,我們改變激發(fā)功率和溫度來(lái)觀察圖形化襯底和平襯底的光譜,發(fā)現(xiàn)圖形化襯底的量子點(diǎn)所產(chǎn)生的峰與平襯底相比不但強(qiáng)度有所增強(qiáng),在峰位,半高寬以及積分強(qiáng)度上都有明顯的
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