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1、本文通過(guò)理論分析,模擬設(shè)計(jì)了高應(yīng)變InGaAs多量子阱激光器,并著重討論了應(yīng)變對(duì)InxGa1-xAs/GaAs多量子阱激光器的影響。激光器的輸出波長(zhǎng)為1.06μm,閾值電流為194.8mA。在結(jié)構(gòu)上,采用雙模式擴(kuò)展層多量子阱結(jié)構(gòu),遠(yuǎn)場(chǎng)垂直發(fā)散角降低到13°。對(duì)高應(yīng)變InGaAs多量子阱激光器的閾值電流、限制因子和遠(yuǎn)場(chǎng)垂直發(fā)散角進(jìn)行了深入研究,并且發(fā)現(xiàn)其具有較低的內(nèi)損耗和較高的特征溫度。對(duì)所設(shè)計(jì)的激光器的有源區(qū)進(jìn)行外延生長(zhǎng),通過(guò)對(duì)比實(shí)驗(yàn)和
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