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1、近年來(lái),氧化鋅納米材料獲得了人們廣泛的關(guān)注,并被給予深入的研究。ZnO是一種直接帶隙、禁帶寬度高達(dá)3.37 eV的寬禁帶半導(dǎo)體,其激子束縛能約為60 meV,確保其在室溫下實(shí)現(xiàn)紫外激射,是繼GaN材料之后的又一研究熱點(diǎn)。眾所周知,摻雜可以改變半導(dǎo)體的性質(zhì),如在ZnO中共摻Ⅲ族和Ⅴ族元素,可實(shí)現(xiàn)ZnO的導(dǎo)電類型實(shí)現(xiàn)從n型到p型的轉(zhuǎn)換。因此為了改善ZnO電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),研究其中的摻雜是非常必要的。
本論文利用化學(xué)氣相沉積方法合成了
2、In、Al共摻雜的 ZnO納米線和InAlO3(ZnO)m超晶格納米線,并結(jié)合X射線電子衍射、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、拉曼光譜等儀器對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,并重點(diǎn)研究了其光致發(fā)光性質(zhì)。通過(guò)低倍透射電子顯微鏡圖像,可以清晰地看出所合成的InAlO3(ZnO)m納米線具有層狀周期結(jié)構(gòu)。在光致發(fā)光譜測(cè)量中,與ZnO的近帶邊發(fā)光峰相比,其近帶邊發(fā)射峰發(fā)生明顯的紅移,表明所合成的InAlO3(ZnO)m超晶格納米線具有不同的帶隙結(jié)構(gòu)
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