小尺寸效應(yīng)對MOSFET器件特性的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路集成密度的不斷增加，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特征尺寸越來越小，并且逼近其物理極限。本文主要研究小尺寸效應(yīng)對MOSFET的柵漏電流、載流子輸運和閾值電壓的影響。 在小尺寸MOSFET柵漏電流方面：主要是關(guān)注柵氧化層中氧空位缺陷對柵漏電流的影響，因為氧空位是柵氧化層中影響其可靠性的重要缺陷之一。本文在分析了小尺寸MOS器件柵漏電流的組成機制及現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，計算了在柵氧化層中隨機分布的氧空位對柵漏

2、電流的影響。研究表明單個氧空位對柵漏電流的影響隨氧化層厚度的增大而減小，當厚度在特定值以及特定電場下，單個氧空位引起的柵漏電流增加可以被忽略。 在小尺寸效應(yīng)對載流子輸運的影響方面：本文利用全能帶蒙特卡羅方法，對硅能帶的非拋物線性對溝道載流子輸運的影響進行了計算。研究表明：能帶的非拋物線性對小尺寸器件載流子輸運的影響大，與之對比對大尺寸器件載流子輸運的影響則不明顯。這意味著對于小尺寸MOSFET必須考慮硅能帶的非拋物線性對器件載流

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