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文檔簡介
1、納米材料和技術(shù)是納米科技領(lǐng)域最富有活力、研究內(nèi)涵十分豐富的科學(xué)分支,納米材料在整個(gè)新材料的研究應(yīng)用方面占據(jù)著核心的地位。原子團(tuán)簇(cluster)是構(gòu)成納米塊體、薄膜、多層膜以及納米結(jié)構(gòu)的基本單元之一,對(duì)它的基態(tài)結(jié)構(gòu)、能級(jí)和電子特性的理論研究是新材料微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的重要課題之一,對(duì)于“設(shè)計(jì)”具有特異性能的新材料意義重大。
在相對(duì)論有效原子實(shí)勢(shì)(RECP)近似和密度泛函(B3LYP)理論方法基礎(chǔ)上,本工作用Gaussian9
2、8程序?qū)in、Pdn和Ptn(n=2-6)分子各種異構(gòu)體進(jìn)行全優(yōu)化計(jì)算,得到它們的基態(tài)結(jié)構(gòu)和光譜性質(zhì)。計(jì)算中,以相對(duì)論有效原子實(shí)勢(shì)(RECP)取代原子內(nèi)層電子,其余的價(jià)電子按LANL2DZ基組參與計(jì)算。還計(jì)算了分子最高占據(jù)軌道與最低空軌道之間的能級(jí)間隙,討論了團(tuán)簇的電子親和能及垂直電離勢(shì),分析了團(tuán)簇的化學(xué)活性。
結(jié)果:表明:小鎳團(tuán)簇的基態(tài)結(jié)構(gòu)是平面的,S電子起支配作用,它與堿金屬團(tuán)簇相似。從二維到三維結(jié)構(gòu)的變化是從Ni4
3、開始的。Nin(n=2-6)團(tuán)簇的HOMO能級(jí)和LUMO能級(jí)均為負(fù)值,表明Ni團(tuán)簇較易得到電子;Ni團(tuán)簇能隙HLGs較大,化學(xué)活性較差。
Pdn(n=2-6)團(tuán)簇的研究表明:Pd2分子的基電子態(tài)為3∑+u;Pd3的基態(tài)結(jié)構(gòu)為具有C2v對(duì)稱性的角形結(jié)構(gòu),電子態(tài)是3B2;Pd5和Pd6的基態(tài)結(jié)構(gòu)也具有C2v對(duì)稱性,分別為六面體形和“船形”結(jié)構(gòu),對(duì)應(yīng)的基電子態(tài)分別為1A1和3B2。由于Jahn-Teller效應(yīng),Pd4的基態(tài)結(jié)構(gòu)
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