溶液法制備硅納米線研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、納米科學(xué)技術(shù)誕生于20世紀(jì)80年代末,進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)納米科學(xué)技術(shù)正處于快速發(fā)展的階段。納米科學(xué)技術(shù)是指在原子和分子量級(jí)上物質(zhì)的制備和研究的技術(shù),半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)是納米科學(xué)研究中最重要和最活躍的部分。硅納米線在兩個(gè)維度方向都達(dá)到了納米量級(jí)尺寸,稱為一維半導(dǎo)體材料。硅納米線的物理、化學(xué)、電學(xué)以及光學(xué)方面具有異于晶體硅的特性,硅納米線在納米電子器件以及納米光電子器件等方面已經(jīng)得到了大量的研究和應(yīng)用。
  硅納米線的制備,作為研究硅納

2、米線性質(zhì)特性的基礎(chǔ),是半導(dǎo)體納米材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。本實(shí)驗(yàn)采用銀輔助化學(xué)溶液刻蝕法制備硅納米線,同時(shí)在加電的情況下研究電流對(duì)硅納米線制備的影響,這種制備技術(shù)與其他制備技術(shù)相比擁有成本投入少、操作簡(jiǎn)單以及適宜大規(guī)模生產(chǎn)等諸多優(yōu)勢(shì)。
  本文采用溶液電解法制備硅納米線,利用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)觀察樣品的表面和切面的形貌,探究樣品隨刻蝕條件的變化規(guī)律。
  在不同溫度下對(duì)樣品進(jìn)行腐蝕,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明腐蝕溫度在50℃左

3、右時(shí),腐蝕后的樣品繼續(xù)刻蝕制備出硅納米線。對(duì)比A、B兩組實(shí)驗(yàn)結(jié)果,發(fā)現(xiàn)腐蝕過(guò)程對(duì)樣品刻蝕制備硅納米起著至關(guān)重要的作用。
  樣品50℃腐蝕后,在2mA電流下進(jìn)行第二步刻蝕;實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著刻蝕時(shí)間的增加,樣品的刻蝕越來(lái)越深,樣品在刻蝕時(shí)間為4h時(shí)制備的硅納米線形態(tài)較佳,刻蝕時(shí)間達(dá)到6h時(shí)樣品出現(xiàn)過(guò)刻蝕現(xiàn)象。
  同時(shí)發(fā)現(xiàn)第二步刻蝕時(shí),刻蝕速率與刻蝕電流成正相關(guān)關(guān)系。在刻蝕電流為3mA刻蝕時(shí)間6h時(shí),樣品在電流作用下刻蝕硅基

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