導(dǎo)納譜在有機(jī)半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)方面的應(yīng)用.pdf

1、有機(jī)電子學(xué)已經(jīng)成為一個(gè)新興的前沿領(lǐng)域，本論文將導(dǎo)納譜方法應(yīng)用于有機(jī)半導(dǎo)體的載流子輸運(yùn)研究中。本論文結(jié)合具體的有機(jī)半導(dǎo)體材料，對(duì)導(dǎo)納譜模型進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?，將?dǎo)納譜方法用于研究N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)的遷移率、八羥基喹啉鋁（Alq3）的陷阱濃度、2,7-二芘基-9-苯基-9-芘基芴(以下簡(jiǎn)寫(xiě)為DPPPF)的缺陷態(tài)，主要內(nèi)容如下：
　?。?）從泊松方程

2、、電流密度方程入手，建立了單載流子注入的導(dǎo)納模型。制備了僅傳空穴的單層器件（ITO/NPB/Ag），測(cè)試其導(dǎo)納譜，并通過(guò)用該模型擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，得到了NPB的遷移率和色散參數(shù)。從結(jié)果來(lái)看，NPB中的空穴為為非色散傳輸；另外，我們還通過(guò)負(fù)微分電納法、阻抗虛部、等效電路法幾種不同的方法得到了NPB的遷移率，并對(duì)所得結(jié)果進(jìn)行了比較。
　　（2）對(duì)單載流子注入導(dǎo)納模型進(jìn)行修正，建立了單載流子注入時(shí)、考慮陷阱影響的理論導(dǎo)納模型，通過(guò)用該模型擬

3、合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，可以得到材料的陷阱濃度和遷移率等參數(shù)；制備了僅傳電子的單層器件（ITO/Alq3/Ag），測(cè)試了器件的導(dǎo)納譜，用上述導(dǎo)納模型來(lái)擬合器件的電容譜，得到了Alq3的陷阱濃度和遷移率等參數(shù)。
　　（3）用導(dǎo)納譜研究了本課題組合成的新材料DPPPF，結(jié)合電容譜，分析得出了DPPPF的缺陷態(tài)分布以及缺陷濃度，并用高斯模型分析了缺陷態(tài)分布。結(jié)果顯示，在DPPPF中，總的陷阱濃度約為6×1016cm-3，缺陷態(tài)分布范圍為0.32-0