有機半導(dǎo)體薄膜器件中的電荷輸運研究.pdf

1、近年來，有機固體電子器件的研究已經(jīng)成為一個熱點，并取得長足的進展，逐漸應(yīng)用在現(xiàn)實生活中，但進一步開發(fā)穩(wěn)定性好、壽命長、功耗低的電子器件是現(xiàn)階段以及今后研究工作的主要目標(biāo)。相比實驗研究取得的巨大成就，人們對有機電子器件工作的物理機理的掌握尚顯不足，這嚴(yán)重制約了有機電子器件性能的提高。由于有機半導(dǎo)體器件載流子的輸運機理不同于無機半導(dǎo)體器件，所以建立一套適用于有機半導(dǎo)體器件載流子輸運機理的理論模型非常的重要?；诖?，本論文作了如下工作：

2、 1 在歐姆注入條件下，推導(dǎo)了以無陷阱有機半導(dǎo)體為功能層的單層單載流子器件的電流——電壓的關(guān)系，對存在陷阱的情況，數(shù)值研究了器件電流隨薄膜厚度和相對陷阱深度的變化關(guān)系，模擬了器件中電勢、電場以及載流子濃度的空間分布，提出了判斷電流傳導(dǎo)的一種新的判據(jù)。對于雙極性單層有機器件，在考慮了陷阱以及電場強度對載流子遷移率的影響的基礎(chǔ)上，研究了器件的電流方程，解釋了在相同的外加電壓下，雙極性單層器件的電流密度大于單極性單層器件的原因。 2

3、 對金屬電極和有機層界面處的載流子注入模型作了論述，建立了一種新的熱電子注入模型，解釋了空穴從ITO陽極注入到有機半導(dǎo)體G1-para-Ir(ppy)<,3>的注入機制。 3 考慮電流的體限制和注入限制后，研究了在低電場下非歐姆注入時溫度對單層有機發(fā)光器件的J-V特性、有機層內(nèi)載流子濃度和電場分布的影響。 4 對于雙層有機發(fā)光器件，計算和分析了最優(yōu)厚度比(D<,p>/d<,n>)<,opt>隨特征陷阱能量、總陷阱密度和載