摻雜ZnSe納米顆粒的合成和表征.pdf

1、納米顆粒（量子點(diǎn)）被廣泛應(yīng)用于生物熒光標(biāo)記、微型光電器件、光敏化太陽能電池和有機(jī)化學(xué)物質(zhì)的檢測等許多領(lǐng)域。本文主要研究了一種更綠色環(huán)保的Se的前驅(qū)體制備摻雜ZnSe納米顆粒的工藝，通過改變摻雜離子以及摻雜濃度來研究其對ZnSe納米顆粒的光學(xué)性質(zhì)的影響。
　　首先本文采用熱注射法成功制備了單分散性的高質(zhì)量的ZnSe， Cu:ZnSe，Cu:ZnSe/ZnS納米顆粒，其粒徑為4.73nm～6.26nm。并且對制備條件進(jìn)行了多方面的探究

2、，最終確定在摻雜濃度為8％，Se的前驅(qū)體注入溫度為240℃，量子點(diǎn)的生長溫度為270℃、生長時間為20min（如Cu:ZnSe/ZnS包裹兩層ZnS）條件下制備的納米顆粒的光學(xué)性質(zhì)較好。ZnSe，Cu:ZnSe，Cu:ZnSe/ZnS納米顆粒的吸收峰的位置在382nm處，發(fā)光峰的位置在436nm和472nm處，量子產(chǎn)率為42.6％～63.6％。
　　其次測量了Cu:ZnSe/ZnS納米顆粒在脈沖強(qiáng)磁場下的性質(zhì)，從實(shí)驗(yàn)的角度證明了半

3、導(dǎo)體納米顆粒的發(fā)光主要是由量子尺寸效應(yīng)引起的；磁場能夠加強(qiáng)導(dǎo)帶與Cu的t2能級之間的輻射；磁場對納米顆粒發(fā)光強(qiáng)度的影響并非單調(diào)的；可以明顯看到Cu:ZnSe/ZnS納米顆粒在低溫下的發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)了，這將拓寬納米顆粒的應(yīng)用范圍。
　　最后又用熱注射法制備了單分散性的高質(zhì)量的Ce:ZnSe，Ce:ZnSe/ZnS，Er:ZnSe，Er:ZnSe/ZnS，Ce:Cu:ZnSe，Ce:Cu:ZnSe/ZnS納米顆粒,其粒徑為10nm。其制