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文檔簡(jiǎn)介
1、本文系統(tǒng)概述了ZnO納米晶的基本理論,總結(jié)了國(guó)內(nèi)外關(guān)于其光電學(xué)特性、制備方法、應(yīng)用及摻雜的研究現(xiàn)狀。在此基礎(chǔ)上采用溶液法合成了ZnO納米晶,并對(duì)其基本性能進(jìn)行了研究與探索,著重研究In摻雜對(duì)ZnO納米晶的影響。
通過(guò)多種分析測(cè)試手段和理論分析,研究?jī)?nèi)容如下:
1.為了避免反應(yīng)溶液中出現(xiàn)多種碳鏈長(zhǎng)度的陰離子,使用In(Ac)3和HSt反應(yīng)生成了In(St)3,并進(jìn)行FTIR分析,發(fā)現(xiàn)反應(yīng)產(chǎn)物中幾乎沒(méi)有硬脂酸的峰
2、,同時(shí)有-CH2-峰,說(shuō)明產(chǎn)物是In(St)3。
2.使用合成的In(St)3為前驅(qū)體制備In2O3納米晶,并研究反應(yīng)溫度對(duì)納米晶形貌的影響,溫度在290℃時(shí)納米晶形狀為球形,但隨著溫度降低,生長(zhǎng)速度降低,出現(xiàn)棒狀、四角針狀等納米晶,并在180℃以下無(wú)法生成In2O3納米晶,這些研究都為接下來(lái)的摻雜提供了基礎(chǔ)。
3.合成未摻雜與In摻雜ZnO納米晶。我們通過(guò)TEM、HRTEM、XRD、PL、UV-vis等手段
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