電子束光刻鄰近效應(yīng)的計算機(jī)模擬.pdf

1、電子束光刻技術(shù)是目前公認(rèn)的最好的高分辨率圖形制作技術(shù)，它具有波長
　　 短、易于控制、精度高、靈活性大等優(yōu)點(diǎn)。但其鄰近效應(yīng)問題是不可忽視的，對
　　 其進(jìn)行研究是十分必要的。
　　 本論文的主要工作是分析電子束曝光Monte Carl o 模擬計算的模型，電子束
　　 光刻工藝的顯影模型，開發(fā)了相應(yīng)的軟件系統(tǒng)，對具有高斯分布束斑的電子束在
　　 抗蝕劑-襯底中的散射及能量沉積過程進(jìn)行模擬計算，由抗

2、蝕劑吸收能量密度的
　　 計算結(jié)果結(jié)合顯影模型，模擬顯影剖面輪廓。以此來對鄰近效應(yīng)進(jìn)行模擬和分析。
　　 主要工作概括如下：
　　 1.用計算機(jī)模擬和分析了電子束光刻中限制其分辨率的主要因素：鄰近效
　　 應(yīng)的影響.模擬和分析了入射電子的能量、襯底材料和抗蝕劑厚度對鄰近效應(yīng)影
　　 響的大小,并與實驗結(jié)果進(jìn)行了比較,發(fā)現(xiàn)模擬結(jié)果同驗結(jié)果相符合得很好.分析
　　 結(jié)果表明：電子束能量越高,抗

3、蝕劑越薄,襯底原子序數(shù)越小,鄰近效應(yīng)越小.
　　 2.模擬了版圖修正前后光柵的顯影剖面輪廓圖形，并與光柵制作的實驗結(jié)
　　 果進(jìn)行了比較。結(jié)果表明，軟件模擬結(jié)果可以用來對實驗進(jìn)行指導(dǎo)。
　　 3.對鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的原因和鄰近效應(yīng)校正途徑進(jìn)行初步了探討。鄰近效應(yīng)
　　 在電子束光刻中是不可避免的，但是可以通過幾何圖形修正或進(jìn)行曝光劑量調(diào)制
　　 或?qū)⒍呦嘟Y(jié)合進(jìn)行修正的。通過優(yōu)化工藝措施也是可以降低其