電子束曝光模型的研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、電子束曝光模型是研究電子束光刻技術(shù)的理論工具，它源于現(xiàn)實(shí)曝光過程中的微觀現(xiàn)象，同時(shí)又可以為曝光實(shí)驗(yàn)提供參考依據(jù)和指導(dǎo)。
　　 本文利用Monte Carlo計(jì)算方法模擬了低能電子在PMMA抗蝕劑中的散射過程，分別改變?nèi)肷潆娮邮芰?、抗蝕劑厚度和襯底材料，研究分析了各因素對(duì)電子束曝光分辨率的影響，并通過大量仿真模擬確定了不同能量電子束的最佳抗蝕劑厚度。當(dāng)電子束入射能量為1keV，抗蝕劑厚度為10nm或20nm，采用Si作襯底時(shí)，可

2、以實(shí)現(xiàn)較高分辨率的表面成像技術(shù)工藝。
　　 通過能量沉積密度曲線觀察了選用Rutherford截面和Mott截面對(duì)于中高能電子束散射的近似程度，研究了背散射所引起的能量沉積變化，并模擬了中高能電子束穿越薄層抗蝕劑的情況。當(dāng)電子束入射能量為50keV，抗蝕劑厚度為500nm，采用Si作襯底時(shí)，曝光圖形輪廓橫向擴(kuò)散的半徑尺寸可以控制在10nm以內(nèi)。
　　 針對(duì)抗蝕劑的性能研究了低能電子束刻蝕深度和曝光劑量的關(guān)系，描述了雙層抗

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