電子束檢測方法研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和工藝技術(shù)的進(jìn)步，器件的尺寸不斷縮小，致命缺陷的尺寸也變的越來越小，缺陷的檢測變得更加困難，這使得缺陷的檢測與優(yōu)化問題已成為重要課題。 電子束設(shè)備克服了光學(xué)波長的限制，可以檢測到極微小缺陷。由于電子束設(shè)備采用檢測出射二次電子的方式檢測缺陷，所以它也可以檢測導(dǎo)體電性方面的缺陷，當(dāng)器件發(fā)生短路或斷路情況時(shí)，出射的二次電子數(shù)量會(huì)比正常情況下變多或變少，在電子束設(shè)備的感應(yīng)器上反映出來的圖像表現(xiàn)為比正常更亮或更暗。但是

2、當(dāng)缺陷位置和正常位置比較二者的差距比較小時(shí)，分辨起來就比較困難，就會(huì)使檢測的精度大大降低，影響檢測的結(jié)果。本文章就是通過多種實(shí)驗(yàn)來研究電子束的電流、能量和圖像、對(duì)比度對(duì)圖像的影響，并尋找一種最優(yōu)組合來加大圖像的差異，以保證同時(shí)檢測到斷路和短路兩種缺陷。 對(duì)于檢測poly line底部的微小殘留物（30nm），一直是一個(gè)很有挑戰(zhàn)性的工作。本文實(shí)驗(yàn)通過調(diào)整電子束的強(qiáng)度，電子束斑的大小和晶圓的擺放角度發(fā)現(xiàn)，在電子束的強(qiáng)度，電子束斑的大

3、小不變的情況下，改變檢測晶圓的擺放角度，讓檢測的方向與poly line 線平行時(shí)，對(duì)這種poly line底部的微小殘留物有很好的檢測效果，并通過檢測參數(shù)的優(yōu)化組合來最大限度地提高產(chǎn)量。 通過實(shí)驗(yàn)得出如下結(jié)論： 1. 對(duì)于電性缺陷，發(fā)現(xiàn)在正負(fù)的模式下都有一組參數(shù)使缺陷和 正常時(shí)的亮度拉開的最大，正的電荷模式下，PE為4，對(duì)比度為60，亮度為25時(shí)，亮度拉開的最大。在負(fù)的電荷模式下，PE為3，對(duì)比度為45，亮度為