研究和降低垂直型LPCVD制備氮化硅膜的微粒污染.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩60頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、垂直型爐管機臺(LPCVD)由于其良好的均勻度和批量生產的優(yōu)勢使得其從20世紀90年代開始,一直是集成電路制造領域必備的設備之一。普遍應用于制備二氧化硅、多晶硅、氮化硅等工藝領域。在生產過程中,最主要的三個指標是:膜厚、均勻度、雜質微粒。而其中雜志微粒是最難控制的,特別是制備氮化硅。由于LPCVD制備氮化硅時,大多使用SiH2Cl2和NH3。SiH2Cl2本身易分解和易液化的特性,以及氮化硅大應力易剝落的特性,使制備氮化硅薄膜的微粒污染

2、水平遠遠高于制備其他薄膜。為了保持產品良率,只能以縮短維護周期的方式來應對。這也使得Down機時間加長,Up time無法提高,從而影響產能。
　　本文以TEL公司生產的LPCVD設備為研究對象,從設備架構和制備工藝上出發(fā),分析出LPCVD氮化硅工藝的主要微粒來源:工藝腔管剝落、SiH2Cl2氣體管道污染以及后段真空管路。針對性地提出改善工藝腔管表面粗糙度的清洗流程和低溫N2 PURGE方案,并優(yōu)化了設備在常壓狀態(tài)的氣流方向。實驗

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論