左手材料與量子阱的耦合機理探究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、左手材料是一類介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時為負值的人工電磁超介質(zhì)材料,具有一系列常規(guī)材料所不具有的獨特的電磁特性(負折射效應(yīng)、突破衍射極限的平板成像等),是當前研究的熱點問題之一。
  2001年,SMITH等人利用金屬線陣列和金屬諧振環(huán)構(gòu)造左手材料,在微波段首次證實其左手性能。之后,大量基于劈裂環(huán)變形的分型結(jié)構(gòu)被提出,例如S狀結(jié)構(gòu),Ω狀結(jié)構(gòu),H狀結(jié)構(gòu)等等,并且通過縮小結(jié)構(gòu)的尺寸,左手性能的頻段也從微波段推進至紅外乃至可見光。雙漁網(wǎng)結(jié)構(gòu)是

2、在“金屬-介質(zhì)-金屬”三明治結(jié)構(gòu)上分布孔陣列的一類左手材料,這類結(jié)構(gòu)不僅可以實現(xiàn)介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時為負,并且還有著豐富的電磁波模式。另外,此結(jié)構(gòu)便于制作加工,且其在光電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。
  本文研究了一種金屬-介質(zhì)-金屬微腔的光電性質(zhì),微腔的金屬層刻有周期性亞波長矩形孔陣列,中間的介質(zhì)層是砷化鎵量子阱。我們理論研究了這種微腔(雙漁網(wǎng)等離子體微腔)中的光學(xué)模式,電場分布以及光學(xué)模式和量子阱子帶躍遷模式之間的耦合機制等等

3、。通過研究我們發(fā)現(xiàn),微腔的光學(xué)模式可以和量子阱的子帶躍遷模式發(fā)生耦合,進而對雙漁網(wǎng)的負折射特性進行調(diào)控。
  (1)雙漁網(wǎng)等離子體微腔(DF微腔)中存在三種光學(xué)本征模式:微腔的兩個本征模式Gap Surface Plasmon,GSP和Localized surface Plasmon,LSP,以及量子阱中的Intersubband transition,ISBT。其中GSP和ISBT有較強的耦合作用,而LSP和ISBT耦合作用很

4、弱。
  (2)量子阱是低維半導(dǎo)體材料的一類代表,在器件應(yīng)用方面有著舉足輕重的地位,隨著材料生長技術(shù)的不斷進步,量子阱生長的可控性越來越高,改變量子阱的特性參數(shù)值,可以詳細的探討微腔中的電磁波模式與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能級躍遷之間的耦合機理。
  (3)通過給雙漁網(wǎng)結(jié)構(gòu)加偏壓,即調(diào)節(jié)量子阱中的電子濃度,可以調(diào)節(jié)微腔中的光學(xué)模式與量子阱子帶躍遷模式的耦合,進而可以實現(xiàn)負折射的原位調(diào)節(jié),這在光電器件方面有著很大優(yōu)勢。
  (4)通過

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