AlGaInN量子阱LED的研究.pdf

1、白光LED（Light Emitting Diode ）由于其效率高、壽命長、體積小、易集成、驅動電壓低、無污染等各種優(yōu)點被譽為將要替代白熾燈的新一代照明光源。但是目前的白光LED主要由藍光泵浦YAG黃光熒光粉或由三基色LED合成白光而得，提高了封裝和后期電路的制作成本，并且黃光熒光粉固有的“暈輪”效應使其不適合于室內照明,而直接出射白光的LED并不存在上述問題。本文主要對GaN LED進行了理論和實驗研究，主要內容如下： (1

2、) 從理論上詳細研究了應變、壓電效應、庫倫屏蔽效應等對AlGaInN 量子阱LED的能帶結構和自發(fā)發(fā)射譜的影響，確定了它們在GaN LED發(fā)光特性中的重要地位。并應用K?P method 理論和自洽解法對量子阱組分、結構參數(shù)、不同注入載流子濃度比對發(fā)光光譜特性的影響進行了研究。為進一步的研究奠定了良好的理論基礎。 (2) 應用能帶理論和色度學相關知識對雙有源區(qū)和三有源區(qū)直接出射白光的AlGaInN多量子阱LED的結構、組分進行設