80C196KC單片機中子和γ綜合電離輻射效應研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于輻射環(huán)境存在綜合性，因此選擇對綜合輻射效應進行研究。單片機一般為CMOS工藝，對電離輻射十分敏感，故而著重研究其綜合電離輻射效應。研究了反應堆中子和γ射線綜合輻照環(huán)境下CMOS工藝大規(guī)模集成電路的電離輻照效應。通過對80C196KC20和PSD501B1兩種不同芯片在該環(huán)境下開展綜合輻照試驗，發(fā)現(xiàn)總的靜態(tài)電流增長不明顯。通過分析，得出了在反應堆的綜合輻照環(huán)境下，中子電離效應較弱，并且由于中子位移效應引起載流子遷移率降低和載流子濃度降

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