晶體硅太陽電池制絨新工藝研究.pdf

1、絨面技術是制造高效太陽電池的關鍵技術之一。有效的絨面結構可以提高短路電流,有助于提高太陽能電池性能。本文首先詳細研究了硅片在HF/HNO3/H2O體系中的腐蝕規(guī)律。通過改變腐蝕液配比、溫度和時間,研究了腐蝕速率、硅片反射率以及電池輸出參量的變化規(guī)律。實驗發(fā)現(xiàn),腐蝕速率隨著HF/HNO3/H2O體系中HF含量的增加而先增大后減小,隨著溫度升高而增大。在反射率方面,HF:HNO3=3:1時硅片反射率最低,但經(jīng)過PECVD鍍減反射膜后相對于其

2、他腐蝕條件制備的硅片,優(yōu)勢略有減少。電池輸出參量方面,HF:HNO3=3:1組效率較低,而反射率相對稍高的HF:HNO3=1:5組電池效率最高。根據(jù)對硅片在HF/HNO3/H2O體系中的腐蝕規(guī)律的研究,本文提出了與常規(guī)生產(chǎn)工藝不同的二次酸腐蝕的新型制絨方法,即首先在富HNO3腐蝕液中對硅片進行一次腐蝕,之后在富HF腐蝕液中進行二次腐蝕,以優(yōu)化表面織構,減少光在硅表面的反射損失。制絨后用掃描電子顯微鏡(SEM)對硅片進行了表面形貌分析,并