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文檔簡介
1、制造集成電路的關鍵要求,是對特征尺寸和缺陷的控制。但是,由于光的衍射行為的限制,傳統(tǒng)光學成像的分辨力,大約只有所使用光波長的一半。目前,關于表面等離子奇異特性的研究,顯示了突破衍射極限的可能。隨后,一系列包括波前工程(例如相移掩模)的嘗試,被用于提升等離子透鏡光刻的成像分辨力和對比度。在傳統(tǒng)的投影光刻中,離軸照明被廣泛用于提升分辨力和焦深。
本論文開展了應用離軸照明提升超衍射成像性能的超透鏡光刻研究。主要進行了理論研究、優(yōu)化設
2、計和光刻實驗。本論文主要研究內(nèi)容以及結論如下:
1.在非接觸的方式下,提出和證實了離軸照明等離子透鏡可提高成像對比度。由于波矢的移動,納米掩模圖形的空間頻譜分量得到了極大的提升,而這將會帶來包括分辨力、對比度、逼真度和空氣間隙延伸等成像性能的提升。與垂直照明相比,通過采用數(shù)值孔徑 NA=1.55的離軸照明等離子透鏡(Off-axis illumination plasmonic lens,OAIPL),線寬35nm和60nm光
3、柵圖形的空氣間隙拓展,分別延伸到了25nm和100nm。
2.通過對60nm線寬圖形照明數(shù)值孔徑的優(yōu)化,實現(xiàn)了高成像對比度。此外,不同的空氣層厚度情況下,通過數(shù)值計算,分析了成像光場的對比度與光強利用率的變化規(guī)律。與垂直照明時的情況相比,照明數(shù)值孔徑 NA=1.52,能夠?qū)⒕€寬60nm的銀-光刻膠-銀結構的空氣間隙拓展到大約100nm。
3.基于上述理論研究和數(shù)值仿真,開展了實驗器材的設計,并完成了相關超分辨光刻實驗
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