NiOx薄膜電阻開(kāi)關(guān)存儲(chǔ)器制備及性能研究.pdf

1、獨(dú)創(chuàng)性聲明本人提交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。論文中引用他人已經(jīng)發(fā)表或出版過(guò)的研究成果，文中已加了特別標(biāo)注。對(duì)本研究及學(xué)位論文撰寫(xiě)曾做出貢獻(xiàn)的老師、朋友、同仁在文中作了明確說(shuō)明并表示衷心感謝。學(xué)位論文作者：準(zhǔn)翅遷簽字日期：矽侈年歲月痧日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解西南大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)西南大學(xué)研

2、究生院(籌)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。，／(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書(shū)，本論文：回不保密，口保密期限至年月止)。學(xué)位論文作者簽名：、戤疋導(dǎo)師簽名：胂熱、’I簽字日期：汐肚年y月2≥日簽字目期：2p眸鄉(xiāng)月乃曰51薄膜沉積速率的標(biāo)定52不同厚度NiOx薄膜的電阻開(kāi)關(guān)特性52120nmNiO。薄膜I—v曲線(xiàn)循環(huán)方向與循環(huán)穩(wěn)定性522601“1／i“1Ni

3、ox薄膜IV曲線(xiàn)循環(huán)方向與循環(huán)穩(wěn)定性52320niT[NiOx薄膜的電流隧穿機(jī)制研究。53不同薄膜厚度下Niox薄膜的電阻開(kāi)關(guān)機(jī)制研究。33第六章溫度對(duì)Ag／NiOx／Pt電容器存儲(chǔ)單元電流電壓曲線(xiàn)的影響35616263第七章20％氧分壓沉積制備的20nmNiO。薄膜在不同測(cè)試溫度下的IV曲線(xiàn)分析3520％氧分壓沉積制備的60nlnNiOx薄膜在不同測(cè)試溫度下的IV曲線(xiàn)分析35本章小結(jié)36結(jié)論與展望37參考文獻(xiàn)39碩士期間發(fā)表論文47參