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文檔簡介
1、過渡金屬硫化物具有特殊的3d價(jià)電子殼層結(jié)構(gòu),由于其特殊的電子結(jié)構(gòu)和豐富的元素組成,成為了當(dāng)今納米材料領(lǐng)域的主要研究方向?;谄渌哂械莫?dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),過渡金屬硫化物被廣泛的用于催化、電池、超級電容器、潤滑劑、光學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。一方面,以MoS2為代表的二維過渡金屬硫化物以其優(yōu)越的電催化析氫性能,低廉的價(jià)格和豐富的儲量,被認(rèn)為是替代鉑系貴金屬催化劑的理想材料而被廣泛研究;另一方面,以Ag2S為代表的金屬硫化物量子點(diǎn),以其獨(dú)特的近
2、紅外二區(qū)(NIR-Ⅱ)熒光性質(zhì),被認(rèn)為是一種理想的納米熒光探針材料。本文以溶劑熱法為基礎(chǔ),實(shí)現(xiàn)了對MoS2和Ag2S兩種納米材料的可控制備,并對其性能和應(yīng)用進(jìn)行了研究。主要內(nèi)容如下:
1、基于MoS2作為析氫反應(yīng)電催化劑活性位點(diǎn)位于其層狀邊緣結(jié)構(gòu)上的不飽和硫原子,本文首次通過溶劑熱法合成了圓環(huán)狀的Cu7S4@MoS2異質(zhì)納米框架結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)暴露出大量的MoS2邊緣活性位點(diǎn)并具有較好的結(jié)晶性。這種新型的納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)在10mA/
3、cm-2和100mA/cm-2的陰極電流密度下僅顯出133mV和206mV的超低過電位,并兼具了較高的交換電流密度,其塔菲爾斜率也僅為48mV/dec。這種通過調(diào)控合成具有更多邊緣活性位點(diǎn)的結(jié)構(gòu)來增加電催化析氫活性的方法為今后設(shè)計(jì)合成高效的非貴金屬電催化劑提供了新的思路和方向。
2、本文首次通過微波反應(yīng)法合成了尺寸約5.4nm的超小油相Ag2S納米顆粒,得到的Ag2S納米顆粒在808nm激發(fā)光源激發(fā)下能夠發(fā)射波長在1200nm
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