版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、多晶硅薄膜作為薄膜太陽能電池的理想材料,它既具有晶體硅優(yōu)良的電學(xué)特性,又有非晶硅成本低、可以大面積制備等優(yōu)點(diǎn)且沒有光致衰減問題。因此,多晶硅薄膜的制備技術(shù)是光伏產(chǎn)業(yè)中被研究的熱點(diǎn)之一。 本文對(duì)國內(nèi)外多晶硅薄膜制備的研究現(xiàn)狀進(jìn)行了較全面的介紹與分析,根據(jù)課題前期調(diào)研結(jié)果并結(jié)合實(shí)驗(yàn)室的軟硬件資源,研究了多晶硅薄膜的生長機(jī)理、電子束法制備、特性分析與測試等幾個(gè)方面。 本文研究的多晶硅薄膜是在傳統(tǒng)的電子束熱蒸發(fā)物理氣相沉積法的基
2、礎(chǔ)上通過結(jié)合晶體生長理論改進(jìn)制備而得,因此本論文對(duì)實(shí)驗(yàn)室的光學(xué)真空鍍膜機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)備改造,搭建用于電子束蒸發(fā)法沉積多晶硅薄膜的特殊實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。多晶硅薄膜具有的結(jié)晶情況與物理形貌是通過沉積過程中的對(duì)各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行控制的而得來,本論文在制備技術(shù)研究方面主要研究各項(xiàng)沉積參數(shù)對(duì)多晶硅薄膜生長情況的影響。研究內(nèi)容主要包括:(1)研究襯底材料對(duì)多晶硅薄膜生長情況的影響。(2)研究襯底溫度對(duì)多晶硅薄膜生長情況的影響。(3)研究薄膜厚度對(duì)多晶硅薄膜生長情
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 電子束提純多晶硅的工藝研究.pdf
- 低溫工藝PECVD法制備多晶硅薄膜研究.pdf
- 鋁誘導(dǎo)法制備多晶硅薄膜研究.pdf
- 多晶硅薄膜制備工藝研究.pdf
- PECVD法制備P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜.pdf
- 光熱退火制備多晶硅薄膜的研究.pdf
- 電子束再生制造多晶硅熔體全熔時(shí)點(diǎn)的判斷.pdf
- 多晶硅薄膜及其電池制備的研究.pdf
- 電子束熔煉提純多晶硅中熱量傳輸和能量利用的研究.pdf
- 金屬(Al、Cu)誘導(dǎo)晶化法制備多晶硅薄膜研究.pdf
- PECVD法制備多晶硅薄膜太陽能電池研究.pdf
- 多晶硅薄膜的制備和表征.pdf
- 金屬誘導(dǎo)多晶硅薄膜制備與研究.pdf
- 冶金法制備高純多晶硅的研究.pdf
- 冶金法制備太陽能級(jí)多晶硅.pdf
- 在柔性襯底上制備多晶硅薄膜的研究.pdf
- 柔性多晶硅薄膜制備及性質(zhì)分析.pdf
- 電子束蒸發(fā)法制備摻雜氧化鋯薄膜.pdf
- APCVD法多晶硅薄膜的制備及其性能研究.pdf
- PECVD多晶硅薄膜制備工藝和性能的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論